近日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于苏州胜利召开。期间，“功率模块与电源应用峰会“由浙江大学杭州国际科创中心电源管理技术创新联盟、英诺赛科、苏州博湃半导体技术有限公司、江苏省第三代半导体研究院协办支持，在浙江大学教授吴新科和北京世纪金光半导体有限公司副总裁于坤山共同主持下成功召开。

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浙江大学教授吴新科和北京世纪金光半导体有限公司副总裁于坤山共同主持会议

以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，显示出比传统功率器件更优异的特性，给电力电子产业的发展带来了新的生机。

碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

峰会现场座无虚席，人气高涨

峰会上，来自意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico Zanoni、北京世纪金光半导体有限公司副总裁于坤山、台达电子高阶客制电源事业部中国区总监董慨，苏州博湃半导体技术有限公司市场销售总监周鑫，锦浪科技技术研究中心总监刘保颂，北京卫星制造厂有限公司领域总师万成安，西交利物浦大学教授文辉清，上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员王浩宇，上海沛塬电子有限公司市场产品总监刘正阳等精英专家们带来精彩报告，分享前沿研究成果。

意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico Zanoni

会上，意大利帕多瓦大学信息工程系教授Enrico Zanoni分享了用于高效能量转换应用的GaN HEMT的深能级效应和可靠性主题报告。他在报告中回顾影响设备动态性能和可靠性的潜在问题。并分析了导致动态导通电阻增加和阈值电压不稳定性的陷阱相关效应，以及软开关和硬开关引起的热电子效应。提出捕集/脱捕集动力学模型。并介绍了由关态偏置条件加速的失效机制，如电介质和GaN中的时间依赖击穿效应和雪崩能力的问题。最后并给出了物理失效分析的结果。

北京世纪金光半导体有限公司副总裁于坤山

数字能源是物联网IoT技术与能源产业的深度融合，通过能源设施的物联接入，并依托大数据及人工智能，打通物理世界与数字世界，信息流与能量流互动，实现能源品类的跨越和边界的突破，放大设施效用，品类协同优化，是支撑现代能源体系建设的有效方式。北京世纪金光半导体有限公司副总裁于坤山做了题为“第三代半导体助力数字能源产业发展”的主题报告，分享了数字能源生态体系、数字能源的发展趋势，报告指出，推动数字能源技术和产业化的时机已经成熟；第三代半导体与数字能源深度融合将构建市场广阔的新兴产业；数字能源产业的可持续发展和演进，需要产、学、研高度协同，在核心技术（硬件和软件）、装备、标准，以及国家产业政策等方面共同发力，以期实现数字能源产业有序、高效、可持续发展。

台达电子高阶客制电源事业部中国区总监董慨

台达电子高阶客制电源事业部中国区总监董慨分享了宽禁带器件在数据中心AC-DC电源上的应用及展望主题报告。

苏州博湃半导体技术有限公司市场销售总监周鑫

苏州博湃半导体技术有限公司市场销售总监周鑫分享了用于先进SiC功率模块的整体解决（核心设备/材料/工程）方案，其中报告指出，SiC功率模块封装新要求为耐受更高结温, 所有结合面熔点从200°C提高到400°C以上；封装总体散热能力提高3~7倍, 以便在更小的体积小耐受相当的耗散功率；连接面的电阻值要小, 以便耐受较高的电流；要求更小的封装体积有助于进一步提高功率密度并减低杂散电感，适应更高的开关频率。

上海沛塬电子有限公司市场产品总监刘正阳

上海沛塬电子有限公司市场产品总监刘正阳做了题为“基于宽禁带器件的高频大功率模组应用”的主题报告，报告指出，宽禁带半导体电源设备确实在改变游戏规则，模块化趋势更加清晰和强烈，应用程序在当今市场上蓬勃发展，成熟的电子建模和封装建模是最关键的，企业需要通过内部研发快速反应和交付。

锦浪科技技术研究中心总监刘保颂

锦浪科技技术研究中心总监刘保颂分享了SiC功率器件在光伏逆变器中的应用主题报告，报告中分析了SiC功率器件在光伏逆变器中的使用情况以及SiC功率器件在使用中的若干难点，报告指出使用成本的进一步下降，以铺开SiCMOS在DC-AC电路中的运用；SiCMOS 本体上集成SBD以进一步降低在死区时间内SiCMOS的续流损耗（部分供应商已经开始应用）；更高提升SiCMOS的BV，更好适配光伏应用场景的电压需求。降低器件的结壳热阻，提高器件最大结温度；使用混合拓扑，降低现有IGBT损耗，针对性发挥SiC功率器件优势，获得更高的性价比。优化SiC Hybrid IGBT的二极管性能，更好地应用于光伏逆变电路的续流桥臂；相适应的测试方法的优化。

北京卫星制造厂有限公司领域总师万成安

北京卫星制造厂有限公司领域总师万成安带来了“碳化硅、氮化镓功率器件在航天电源的应用前景”的主题报告，报告指出，GaN/SiC功率器件应用场景涉及电机驱动、能量变换、高电压、无线遥测；月球探测；空间燃料电池电源系统；空间电源系统等。展望未来，GaN/SiC功率器件将是新一代航天器电源系统的核心器件。和地面用GaN/SiC功率器件相比较，航天器用GaN/SiC功率器件将涉及：材料技术；抗辐射器件技术；抗辐射器件评价与验证技术；板卡级与系统级设计技术；长寿命及空间环境验证技术等。

西交利物浦大学教授文辉清

西交利物浦大学教授文辉清现场分享了基于氮化镓材料的电力电子功率集成电路设计主题报告。他表示，利用氮化镓材料宽禁带宽度、临界击穿电场高、饱和速度快等优点，开发基于GaN材料的电力电子功率集成电路，实现高效率及高功率密度的功率变换；明确GaN器件典型失效模式，建立GaN等效电路模型，研究GaN电力电子器件的高温高频工作特性，优化驱动电路设计；开发基于GaN材料电力电子功率集成电路，提高功率变换效率及功率密度，降低系统成本，推动电力电子功率集成电路在高压、高频及高温领域如航空航天、电动汽车、风机、压缩机等领域的推广应用。为此，他在报告中详细介绍了GaN-MIS-HEMT及功率二极管研制，GaN电力电子器件特性及可靠性研究、GaN电力电子功率集成研究以及基于GaN双向开关的矩阵变换器等方面最新研究进展。

上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员王浩宇

上海科技大学信息学院长聘副教授、研究员王浩宇分享了基于氮化镓的CRM图腾柱PFC整流器的无传感器电流过零预测技术，研究提出了一种用于图腾柱Boost PFC变换器的新型无电流传感器CRM控制。分析了考虑开关器件模型非线性电容的估计器的行为。为了减小电感和寄生电阻的变化，提高预测精度，提出了一种扰动阻尼控制。建立了额定功率为550W的实验样机，以验证所提出的概念。

现场互动交流

现场人气爆棚

场外展示交流人气爆棚

会场外：先进半导体技术应用创新展（CASTAS）现场交流

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